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TF20N02中文資料拓鋒半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

TF20N02
廠商型號(hào)

TF20N02

功能描述

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

20N02

封裝外殼

TO-251

文件大小

3.76703 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

TUOFENG拓鋒半導(dǎo)體

中文名稱(chēng)

深圳市拓鋒半導(dǎo)體科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-16 22:30:00

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TF20N02規(guī)格書(shū)詳情

● General Description

The T F20N02combines advanced trench

MOSFET technology with a low resistance package to provideextremely low RDS(ON) .This device is ideal for load switchand battery protection applications.

● Features

Advance high cell densityTrench technology

Low RDS(ON) to minimize conductive loss

Low Gate Charge for fast switching Low Thermal resistance

●Application

MB/VGA Vcore

SMPS 2nd Synchronous Rectifier POL application

BLDC Motor driver

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