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TF20N02

Marking：20N02；Package：TO-251；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

●GeneralDescription TheTF20N02combinesadvancedtrench MOSFETtechnologywithalowresistancepackagetoprovideextremelylowRDS(ON).Thisdeviceisidealforloadswitchandbatteryprotectionapplications. ●Features AdvancehighcelldensityTrenchtechnology LowRDS(ON)tominimize

TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co

拓鋒半導(dǎo)體深圳市拓鋒半導(dǎo)體科技有限公司

BSC020N025SG

Marking：20N025S；Package：TDSON-8；OptiMOS?2 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多20N02供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-21 11:06:00

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