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TH58NYG2S3HBAI4_集成電路（IC） 存儲器-Kioxia America, Inc.

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  • 廠家型號：

    TH58NYG2S3HBAI4

  • 制造商：

    Kioxia America, Inc.

  • 庫存數(shù)量：

    103

  • 類別：

    集成電路（IC） 存儲器

  • 封裝外殼：

    63-BGA

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 更新時間：

    2024-12-29 8:00:00

  • 詳細信息
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原廠料號：TH58NYG2S3HBAI4品牌：Kioxia America, Inc.

資料說明：IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA

TH58NYG2S3HBAI4是集成電路（IC） > 存儲器。制造商Kioxia America, Inc.生產(chǎn)封裝63-BGA的TH58NYG2S3HBAI4存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號：

    th58nyg2s3hbai4

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 資料說明：

    IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    TH58NYG2S3HBAI4

  • 制造商：

    Kioxia America, Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    閃存

  • 技術(shù)：

    FLASH - NAND（SLC）

  • 存儲容量：

    4Gb（512M x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    25ns

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    63-BGA

  • 供應商器件封裝：

    63-BGA（9x11）

  • 描述：

    IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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16+
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
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