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TH58NYG2S3HBAI4

SLC NAND & BENAND Reliability and Performance

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TH58NYG2S3HBAI4

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT） 封裝/外殼：63-BGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA

Kioxia America, Inc.

Kioxia America, Inc.

Kioxia America, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    TH58NYG2S3HBAI4

  • 制造商：

    Kioxia America, Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    閃存

  • 技術(shù)：

    FLASH - NAND（SLC）

  • 存儲容量：

    4Gb（512M x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    25ns

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    63-BGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    63-BGA（9x11）

  • 描述：

    IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
TOSHIBA
16+
FBGA
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
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TOSHIBA/東芝
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TOSHIBA/東芝
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23+
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專業(yè)配單原裝正品假一罰十
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Toshiba Memory America, Inc.
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更多TH58NYG2S3HBAI4供應(yīng)商 更新時間2024-11-7 13:30:00

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