首頁>TH58NYG2S3HBAI6>芯片詳情

TH58NYG2S3HBAI6 集成電路（IC）存儲器 Kioxia America Inc.

TH58NYG2S3HBAI6參考圖片

圖片僅供參考，請參閱產品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號：

    TH58NYG2S3HBAI6

  • 產品分類：

    芯片

  • 生產廠商：

    Kioxia America Inc.

  • 庫存數(shù)量：

    9350

  • 產品封裝：

    63-BGA

  • 生產批號：

    24+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2024-11-7 10:54:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：TH58NYG2S3HBAI6品牌：Kioxia America Inc.

獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經營 免費試樣正品保證

TH58NYG2S3HBAI6是集成電路（IC） > 存儲器。制造商Kioxia America Inc./Kioxia America, Inc.生產封裝63-BGA的TH58NYG2S3HBAI6存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

  • 芯片型號：

    TH58NYG2S3HBAI6

  • 規(guī)格書：

    下載

產品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產品編號：

    TH58NYG2S3HBAI6

  • 制造商：

    Kioxia America, Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    閃存

  • 技術：

    FLASH - NAND（SLC）

  • 存儲容量：

    4Gb（512M x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    25ns

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    63-BGA

  • 供應商器件封裝：

    63-BGA（9x11）

  • 描述：

    IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市宏捷佳電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    許小姐

  • 手機：

    13530520535

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-83201583/83214703

  • 傳真：

    0755-22669259

  • 地址：

    福田區(qū)華強北路上步工業(yè)區(qū)102棟620室

相近型號