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FBP160808U121-2.5A

MULTILAYERCHIPBEAD

●FEATURE 1.Highcurrentandmultiplesizeavailability 2.Highreliabilityduetoanentirelymonolithicstructure 3.LowDCresistancestructureofelectrodepreventswastefulelectricpowerconsumption 4.SuppressEMI/RFIandtopreventself-oscillationinelectronicproducts ●APPLICATIO

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技

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更多TI160808U121-2.5A供應(yīng)商 更新時間2024-12-25 17:09:00

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