首頁(yè)>TIG065E8-TL-H>芯片詳情

TIG065E8-TL-H 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

TIG065E8-TL-H參考圖片

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    TIG065E8-TL-H

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ON(安森美)

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    7748

  • 產(chǎn)品封裝：

    標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫(kù)存類型：

    熱賣庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-25 9:38:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：TIG065E8-TL-H品牌：ON(安森美)

全新原裝正品/價(jià)格優(yōu)惠/質(zhì)量保障

TIG065E8-TL-H是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ON(安森美)/onsemi生產(chǎn)封裝標(biāo)準(zhǔn)封裝/8-SMD，扁平引線的TIG065E8-TL-H晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    TIG065E8-TL-H

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    8 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    485.44 kb

  • 資料說(shuō)明：

    N-Channel IGBT

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    TIG065E8-TL-H

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    7V @ 2.5V，100A

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SMD，扁平引線

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-ECH

  • 描述：

    IGBT 400V 150A ECH8

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市高捷芯城科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    肖先生

  • 手機(jī)：

    19076157484

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83061789

  • 傳真：

    0755-82550578

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)華富路1006號(hào)航都大廈10層

相近型號(hào)