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TIL117X	文件：53.06 Kbytes Page：3 Pages	OPTICALLYCOUPLEDISOLATORHOTOTRANSISTOROUTPUT DESCRIPTION TheTIL111,TIL114,TIL116,TIL117seriesofopticallycoupledisolatorsconsistofinfraredlightemittingdiodeandNPNsiliconphototransistorinastandard6pindualinlineplasticpackage. FEATURES lOptions:- 10mmleadspread-addGafterpartno. Surfac	ISOCOM ISOCOM COMPONENTS	ISOCOM
TIP117	文件：195.98 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFPNPDARLINGTONTRANSISTOR Description Designedforuseingeneralpurposeamplifierandlow-speedswitchingapplications. Pinning 1=Base 2=Collector 3=Emitter	DCCOM Dc Components	DCCOM
TIP117	文件：157.53 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPNPDarlingtonPowerTransistors DESCRIPTION ?WithTO-220Cpackage ?DARLINGTON ?HighDCcurrentgain ?Lowcollectorsaturationvoltage ?ComplementtotypeTIP110/111/112 APPLICATIONS ?Forindustrialuse	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
TIP117	文件：194.97 Kbytes Page：4 Pages	DarlingtonPowerTransistors(PNP) Features ?Designedforgeneral-purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications ?RoHSCompliant	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON
TIP117	文件：153.15 Kbytes Page：3 Pages	PLASTICMEDIUM-POWERCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS	bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半導(dǎo)體公司	boca
TIP117	文件：50 Kbytes Page：4 Pages	MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors ?HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=-4V,IC=-1A(Min.) ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage ?IndustrialUse ?ComplementarytoTIP110/111/112	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
TIP117	文件：160.91 Kbytes Page：6 Pages	PNPSILICONPOWERDARLINGTONS PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewith TIP110,TIP111andTIP112 ●50Wat25°CCaseTemperature ●4AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof500at4V,2A	POINN Power Innovations Ltd	POINN
TIP117	文件：269.51 Kbytes Page：6 Pages	PlasticMedium-PowerComplementarySiliconTransistors PlasticMedium-PowerComplementarySiliconTransistors Designedforgeneral?purposeamplifierandlow?speedswitchingapplications. Features ?HighDCCurrentGain? hFE=2500(Typ)@IC =1.0Adc ?Collector?EmitterSustainingVoltage?@30mAdc VCEO(sus)=60Vdc(Min)	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
TIP117	文件：269.51 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTON2AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
TIP117	文件：146.97 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSISTORS(2.0A,60-100V,50W)	MOSPECMospec Semiconductor 統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司	MOSPEC
TIP117	文件：722.93 Kbytes Page：5 Pages	PNPSILICONPOWERDARLINGTONS PLASTICPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinMediumPowerLinearandSwitchingApplications	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
TIP117	文件：99.95 Kbytes Page：8 Pages	PlasticMedium-PowerComplementarySiliconTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
TIP117	文件：72.48 Kbytes Page：2 Pages	PLASTICPOWERTRANSISTORS PLASTICPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinMediumPowerLinearandSwitchingApplications TO-220PlasticPackage	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
TIP117	文件：169.39 Kbytes Page：1 Pages	PNPEpitaxialSiliconDarlingtonTransistors Features ?HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4.0V,IC=1.0A(Min.) ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage ?ComplementarytoTIP110/111/112 ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignatRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
TIP117	文件：76.15 Kbytes Page：3 Pages	TO-220-PowerTransistorsandDarlingtons	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
TIP117	文件：72.23 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS DESCRIPTION TheTIP110andTIP112aresiliconEpitaxial-BaseNPNtransistorsinmonolithicDarlingtonconfigurationmountedinJedecTO-220plasticpackage.Theyareintentedforuseinmediumpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryPNPtypesareTIP115andTIP117. ■STMicroe	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
TIP117	文件：75.23 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(MONOLITHICCONSTRUCTIONWITHBUILTINBASE-EMITTERSHUNTRESISTORSINDUSTRIALUSE.) MONOLITHICCONSTRUCTIONWITHBUILTIN BASE-EMITTERSHUNTRESISTORSINDUSTRIALUSE. FEATURES ?HighDCCurrentGain. :hFE=1000(Min.),＠VCE=-4V,IC=-1A. ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage. ?ComplementarytoTIP112.	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
TIP117	文件：123.01 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPNPDarlingtonPowerTransistors DESCRIPTION ?WithTO-220Cpackage ?DARLINGTON ?HighDCcurrentgain ?Lowcollectorsaturationvoltage ?ComplementtotypeTIP110/111/112 APPLICATIONS ?Forindustrialuse	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
TIP117	文件：378.73 Kbytes Page：2 Pages	PNPEpitaxialSiliconDarlingtonTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
TIP117	文件：148.66 Kbytes Page：8 Pages	PlasticMedium-PowerComplementarySiliconTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI

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