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TK18E10K3,S1X(S_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-單個(gè)-Toshiba Semiconductor and Storage

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原廠料號(hào)：TK18E10K3,S1X(S品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

資料說明：MOSFET N-CH 100V 18A TO220-3

TK18E10K3,S1X(S是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生產(chǎn)封裝TO-220-3的TK18E10K3,S1X(S晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開關(guān)特性，同時(shí)又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

  • 芯片型號(hào)：

    tk18e10k3,s1x(s

  • 規(guī)格書：

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  • 資料說明：

    MOSFET N-CH 100V 18A TO220-3

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    TK18E10K3,S1X(S

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

  • 系列：

    U-MOSIV

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • FET 類型：

    N 通道

  • 技術(shù)：

    MOSFET（金屬氧化物）

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：

    18A（Ta）

  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：

    42 毫歐 @ 9A，10V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220-3

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 描述：

    MOSFET N-CH 100V 18A TO220-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Toshiba Semiconductor and Stor
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