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TK18E10K3,S1X(S

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：TO-220-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè) 描述：MOSFET N-CH 100V 18A TO220-3

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

ITK18E10K3

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

TK18E10K3

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TK18E10K3

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

TK18E10K3

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    TK18E10K3,S1X(S

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

  • 系列：

    U-MOSIV

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • FET 類型：

    N 通道

  • 技術(shù)：

    MOSFET（金屬氧化物）

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：

    18A（Ta）

  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：

    42 毫歐 @ 9A，10V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220-3

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 描述：

    MOSFET N-CH 100V 18A TO220-3

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
Toshiba Semiconductor and Stor
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Toshiba Semiconductor and Stor
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更多TK18E10K3,S1X(S供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-11 15:00:00

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