首頁 >TK18E10K3,S1X(S>規(guī)格書列表
零件編號 | 下載 訂購 | 功能描述/絲印 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
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TK18E10K3,S1X(S | Package:TO-220-3;包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 單個 描述:MOSFET N-CH 100V 18A TO220-3 | Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司 | ISC | ||
BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝 | TOSHIBA | ||
N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology | DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半導體有限公司 | DOINGTER | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司 | ISC |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
TK18E10K3,S1X(S
- 制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個
- 系列:
U-MOSIV
- 包裝:
卷帶(TR)
- FET 類型:
N 通道
- 技術:
MOSFET(金屬氧化物)
- 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):
18A(Ta)
- 不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):
42 毫歐 @ 9A,10V
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 供應商器件封裝:
TO-220-3
- 封裝/外殼:
TO-220-3
- 描述:
MOSFET N-CH 100V 18A TO220-3
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Toshiba Semiconductor and Stor |
2022+ |
TO-220-3 |
38550 |
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TOSHIBA |
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