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GV3P80

Motorcircuitbreaker,TeSysGV3,3P,56-80A,thermalmagnetic,screwclampterminals

SCHNEIDERSchneider Electric

施耐德施耐德電氣

TK3P80E

MOSFETsSiliconN-ChannelMOS

Applications ?SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=3.9Ω(typ.) (2)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=640V) (3)Enhancementmode:Vth=2.5to4.0V(VDS=10V,ID=0.3mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TK3P80E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

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更多TK3P80E,RQ(S供應商 更新時間2025-1-26 13:39:00