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GV3P80

Motorcircuitbreaker,TeSysGV3,3P,56-80A,thermalmagnetic,screwclampterminals

SCHNEIDERSchneider Electric

施耐德施耐德電氣

TK3P80E

MOSFETsSiliconN-ChannelMOS

Applications ?SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=3.9Ω(typ.) (2)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=640V) (3)Enhancementmode:Vth=2.5to4.0V(VDS=10V,ID=0.3mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TK3P80E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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三極管/MOS管/晶體管 > 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
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更多TK3P80E,RQ供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-10 17:22:00