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TK40E06N1

Isc N-Channel MOSFET Transistor

?DESCRITION ?SwitchingVoltageRegulators ?FEATURES ?Lowdrain-sourceon-resistance: RDS(ON)=10.4m?(VGS=10V) ?Enhancementmode: Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=0.3mA) ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableope

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

TK40E06N1

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    TK40E06N1

  • 功能描述：

    MOSFET 100V N-Ch PWR FET 60A 67W 23nC

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多TK40E06N1供應(yīng)商 更新時間2025-1-30 10:06:00

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