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4279	文件：93.07 Kbytes Page：1 Pages	NylonKayakClips	HeycoHeyco. ?？?/span>	Heyco
4279	文件：35.16 Kbytes Page：1 Pages	BantamPlugCableAssembly	POMONA Pomona Electronics	POMONA
4279N	文件：35.16 Kbytes Page：1 Pages	BantamPlugCableAssembly	POMONA Pomona Electronics	POMONA
CED4279	文件：685.37 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) FEATURES ■40V,14A,RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=46mΩ@VGS=4.5V. ■-40V,-9A,RDS(ON)=72mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=110mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapabil	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CED4279	文件：800.6 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) FEATURES 40V,14A,RDS(ON)=32mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-252-4Lpackage. RDS(ON)=46mW@VGS=4.5V. Leadfreeproductisacquired. -40V,-9A,RDS(ON)=72mW@VGS=10V. RDS(ON)=110mW@VGS=4.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEM4279	文件：919.21 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) 40V,6.1A,RDS(ON)=32mW@VGS=10V. FEATURES RDS(ON)=46mW@VGS=4.5V. -40V,-4.3A,RDS(ON)=66mW@VGS=-10V. RDS(ON)=105mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. Leadfreeproductisa	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEM4279	文件：493.84 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) FEATURES ■40V,6.1A,RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=46mΩ@VGS=4.5V. ■-40V,-4.3A,RDS(ON)=66mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=105mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapabil	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEU4279	文件：685.37 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) FEATURES ■40V,14A,RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=46mΩ@VGS=4.5V. ■-40V,-9A,RDS(ON)=72mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=110mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapabil	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEU4279	文件：800.6 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) FEATURES 40V,14A,RDS(ON)=32mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-252-4Lpackage. RDS(ON)=46mW@VGS=4.5V. Leadfreeproductisacquired. -40V,-9A,RDS(ON)=72mW@VGS=10V. RDS(ON)=110mW@VGS=4.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
LTC4279	文件：2.45656 Mbytes Page：34 Pages	12-/24-/48-PortIEEE802.3atPoEPSEController DESCRIPTION TheLTC?9101-2A/LTC9102chipsetisa(upto)48-portpower sourcingequipment(PSE)controllerdesignedforuseinIEEE 802.3atType1and2compliantPoweroverEthernet(PoE)systems. TheLTC9101-2A/LTC9102isdesignedtopowercompliant 802.3afand802.3atPDs.TheLTC9101-2A/L	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
LTC4279	文件：3.24194 Mbytes Page：44 Pages	12/24-PortIEEE802.3btPoEPSEController DESCRIPTION TheLTC?9101-2chipsetisa12/24-portpowersourcing equipment(PSE)controllerdesignedforuseinIEEE802.3bt Type3and4compliantPoweroverEthernet(PoE)systems. TheLTC9101-2/LTC9102isdesignedtopowercompliant 802.3af,802.3at,and802.3btPDs.TheLTC9101-2/LTC9102	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
LTC4279	文件：3.42057 Mbytes Page：50 Pages	48-PortIEEE802.3btPoEPSEController	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
LTC4279	文件：1.61385 Mbytes Page：40 Pages	4-PortIEEE802.3btPoEPSEController	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
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NCV4279	文件：114.38 Kbytes Page：14 Pages	5.0VMicropower150mALDOLinearRegulatorwithDELAY,AdjustableRESET,andSenseOutput	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
TLE4279GMNT
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
LDO Regulator Pos 5V 0.15A 14-Pin DSO

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
萬三科技(深圳)有限公司	TLE4279GMNT	英飛凌	22+	NA	500000	萬三科技,秉承原裝,購芯無憂	詢價(jià)
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深圳市科雨電子有限公司	TLE4279GMNTMA1	INFINEON	20+	IC	1001	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!	詢價(jià)
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深圳市易訊博科技有限公司	TLE4279GMXUMA1	Infineon	22+	NA	493	加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,	詢價(jià)
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更多TLE4279GMNT供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-17 15:00:00

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