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PowerMOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司 | VBSEMI | ||
PowerMOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司 | VBSEMI | ||
600VN-ChannelPowerMOSFET | TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司 | TSC | ||
N-Channel650V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司 | VBSEMI | ||
PowerMOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司 | VBSEMI | ||
600VN-ChannelPowerMOSFET | TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司 | TSC | ||
600VN-ChannelPowerMOSFET | TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司 | TSC | ||
600VN-ChannelPowerMOSFET | TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司 | TSC | ||
N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司 | VBSEMI | ||
600V,4A,2.5廓N-ChannelPowerMOSFET | TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司 | TSC | ||
600V,4A,2.5廓N-ChannelPowerMOSFET | TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司 | TSC | ||
N-Channel650V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司 | VBSEMI | ||
N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司 | VBSEMI | ||
N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司 | VBSEMI | ||
PowerMOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司 | VBSEMI | ||
PowerMOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司 | VBSEMI | ||
N-Ch600VFastSwitchingMOSFETs | UNITPOWER Unitpower Technology Limited | UNITPOWER | ||
N-Ch600VFastSwitchingMOSFETs | XINDEYI ShenZhen XinDeYi Electronics Co., Ltd. | XINDEYI | ||
N-Channel650V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司 | VBSEMI | ||
N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET | UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司 | UTC |
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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TRINNO |
15+ |
TO-252 |
1864 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
TRINNO |
23+ |
TO-252 |
10000 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
SOT-252 |
8839 |
一級代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢長期供貨 |
詢價(jià) | ||||
紫光微 |
23+ |
TO252 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
紫光微 |
23+ |
TO252 |
12500 |
原廠原裝正品 |
詢價(jià) | ||
TLMS |
24+ |
DIP |
3000 |
原裝現(xiàn)貨,可開13%稅票 |
詢價(jià) | ||
TOSHIBA |
24+ |
2-9E1F |
5500 |
長期供應(yīng)原裝現(xiàn)貨實(shí)單可談 |
詢價(jià) | ||
TOSHIBA |
21+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
150 |
進(jìn)口原裝,訂貨渠道! |
詢價(jià) | ||
TRINNO |
22+ |
TO-252 |
40000 |
原廠原裝,價(jià)格優(yōu)勢!13246658303 |
詢價(jià) | ||
TRINNO |
2016+ |
ROHS |
5632 |
只做進(jìn)口原裝正品!現(xiàn)貨或者訂貨一周貨期!只要要網(wǎng)上有 |
詢價(jià) |
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