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9N60	文件：63.55 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMosfetTransistor DESCRITION ·Designedforhighefficiencyswitchmodepowersupply. FEATURES ·DrainCurrent–ID=8.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.0Ω(Max) ·AvalancheEnergySpecified ·FastSwitching ·SimpleD	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BLV9N60	文件：374.44 Kbytes Page：6 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET	ESTEKEstek Electronics Co. Ltd 伊泰克電子北京伊泰克電子有限公司	ESTEK
FB9N60A	文件：135.44 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=600V,Rds(on)=0.75ohm,Id=9.2A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpower	IRF International Rectifier	IRF
FCD9N60N	文件：784.87 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FCD9N60NTM	文件：784.87 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FCD9N60NTM	文件：353.76 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=385mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FCP9N60N	文件：911.95 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelMOSFET600V,9A,0.385廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FCP9N60N	文件：336.5 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=385mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FCPF9N60NT	文件：651.06 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelSupreMOS?MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FCPF9N60NT	文件：911.95 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelMOSFET600V,9A,0.385廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FCPF9N60NT	文件：323.2 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=385mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFB9N60	文件：135.44 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=600V,Rds(on)=0.75ohm,Id=9.2A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpower	IRF International Rectifier	IRF
IRFB9N60A	文件：303.68 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFB9N60A	文件：135.44 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=600V,Rds(on)=0.75ohm,Id=9.2A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpower	IRF International Rectifier	IRF
IRFB9N60A	文件：329.36 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFB9N60A	文件：331.87 Kbytes Page：21 Pages	IRPLLNR5WideRangeInputLinearFluorescentBallast	IRF International Rectifier	IRF
IRFB9N60A	文件：302.95 Kbytes Page：9 Pages	Switchmodepowersupply	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFB9N60APBF	文件：160.96 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ?LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent Applications ?SwitchModePowerSupply(SMPS) ?UninterruptablePowerSupply ?Highspeedpowersw	IRF International Rectifier	IRF
IRFS9N60A	文件：105.19 Kbytes Page：9 Pages	SMPSMOSFET Benefits ?LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent Applications ?SwitchModePowerSupply(SMPS) ?UninterruptablePowerSupply ?HighSpeedPowerSw	IRF International Rectifier	IRF
IRFS9N60A	文件：322.87 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?SwitchingVoltageRegulators ?FEATURES ?Lowdrain-sourceon-resistance: RDS(ON)=0.75?(MAX) ?Enhancementmode: Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=0.25mA) ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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更多TMP9N60供應(yīng)商更新時間2024-12-20 8:58:00

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