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484	文件：220.91 Kbytes Page：2 Pages	Electroplating/AnodizingTape	3M 3M Electronics	3M
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484	文件：255.58 Kbytes Page：3 Pages	PrecisionPotentiometer/PositionSensor	BITECHBi technologies 瑞谷拜特上海瑞谷拜特軟件技術(shù)有限公司	BITECH
484GT	文件：89.38 Kbytes Page：4 Pages	3.0mmVeryWideAngleTypeLEDLamps	EverlightEverlight Electronics Co., Ltd 臺(tái)灣億光億光電子工業(yè)股份有限公司	Everlight
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ACPL-M484	文件：787.61 Kbytes Page：13 Pages	PositiveLogicHighCMRIntelligentPowerModuleandGateDriveInterfaceOptocoupler	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半導(dǎo)體	BOARDCOM
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ADA484	文件：292.81 Kbytes Page：12 Pages	16-Bit,1MSPSPulSARADCinMSOPQFN	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
AOD484	文件：144.78 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOD484usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOD484isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOD4	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
AOD484	文件：199.15 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
AOD484	文件：1.01519 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS ?OR-ing ?Server ?DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
AOD484	文件：250.32 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor ?FEATURES ?WithTo-252(DPAK)package ?Lowinputcapacitanceandgatecharge ?Lowgateinputresistance ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
AOD484	文件：622.65 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET APPLICATIONS ?OR-ing ?Server ?DC/DC	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
AOI484	文件：959.9 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
AOI484	文件：331.02 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=53A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=70mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
AT484	文件：3.62022 Mbytes Page：33 Pages	AccessoriesHardware	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類(lèi)制造商etc2未分類(lèi)制造商	etc2

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
TP484NNDI
制造商：
Weidmuller
功能描述：
SURGE PROTECTION

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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