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TPH1R306P1

MOSFETsSiliconN-channelMOS

Applications ?High-EfficiencyDC-DCConverters ?SwitchingVoltageRegulators ?MotorDrivers Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=22nC(typ.) (3)Smalloutputcharge:Qoss=77.5nC(typ.) (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.96mΩ(typ.)(VGS=10V

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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更多TPH1R306P1,L1Q供應商 更新時間2025-2-19 10:06:00

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