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TPH1R306PL1

SiliconN-channelMOS(U-MOS-H)

1.Applications ?High-EfficiencyDC-DCConverters ?SwitchingVoltageRegulators ?MotorDrivers 2.Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=22nC(typ.) (3)Smalloutputcharge:Qoss=77.5nC(typ.) (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=1.0mΩ(typ.)(VGS

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

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更多TPH1R306PL1,LQ(M供應商 更新時間2025-1-28 8:00:00

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