TPH1R306PL1中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	TPH1R306PL1
功能描述	Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)
文件大小	658.38 Kbytes
頁面數(shù)量	9 頁
生產(chǎn)廠商	Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱	TOSHIBA【東芝】
中文名稱	株式會社東芝官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
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更新時間	2025-3-12 18:53:00
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1. Applications

? High-Efficiency DC-DC Converters

? Switching Voltage Regulators

? Motor Drivers

2. Features

(1) High-speed switching

(2) Small gate charge: QSW = 22 nC (typ.)

(3) Small output charge: Qoss = 77.5 nC (typ.)

(4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.0 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

(5) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 60 V)

(6) Enhancement mode: Vth = 1.5 to 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)

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