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TPSI4816BDY-T1-GE3

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

GENERALFEATURES ●Q1:N-Channel ●30V/7A, RDS(ON)19m2(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=24m2(typ.)@VGs=4.5V ●Q2:N-Channel ●30V/11.2A, RDS(ON)=10m2(typ.)@VGS=10V RDSON=14m2(typ.)@VGs=4.5V ●Schottky Vds=30VIF=2.0A Vsd:0.5V@1.0A

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺舟電子臺舟電子股份有限公司

SI4816BDY-T1-GE3

DualN-Channel30-V(D-S)MOSFETwithSchottkyDiode

GENERALFEATURES ●Q1:N-Channel ●30V/7A, RDS(ON)=19m2(typ.)@VGs=10V RDS(ON)=24m2(typ.)@VGS=4.5V Q2:N-Channel ●30V/11.2A, RDS(ON)=10m2(typ.)@VGs=10V GS RDSON=14m2(typ.)@V=4.5V DS'ON ●Schottky Vds=30VIF=2.0A Vsd:0.5V@1.0A

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臺舟電子臺舟電子股份有限公司

SI4816BDY-T1-GE3

DualN-Channel30-V(D-S)MOSFETwithSchottkyDiode

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

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MURATA/村田
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明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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更多TPSI4816BDY-T1-GE3供應商 更新時間2024-12-25 11:06:00

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