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STR2P3LLH6

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

GeneralDescription Theusesadvancedtrenchtechnology toprovideexcellentRDS(ON),lowgatecharge andoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V. Thisdeviceissuitableforuseasaloadswitchor inPWMapplications. STR2P3LLH6 Features VDS-30V ID(atVGS=-10V)-5.0A RDS(ON)

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

STR2P3LLH6

Verylowon-resistance

Description ThisdeviceisaP-channelPowerMOSFET developedusingtheSTripFET?H6technology, withanewtrenchgatestructure.Theresulting PowerMOSFETexhibitsverylowRDS(on)inall packages. Features ?Verylowon-resistance ?Verylowgatecharge ?Highavalancheruggedness

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

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更多TPSTR2P3LLH6供應(yīng)商 更新時間2025-3-2 18:25:00

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