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AOTF454L

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

AOU454

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription TheAOU454usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOU454isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOU4

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬國(guó)半導(dǎo)體

AOU454

N-Channel40V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?PowerSupply -SecondarySynchronousRectification ?DC/DCConverter

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

AOU454

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=33mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

AOU454L

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription TheAOU454usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOU454isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOU4

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬國(guó)半導(dǎo)體

AQV454

HE(High-functionEconomy)Type1-Channel(FormB)Type

HE(High-functionEconomy)Type1-Channel(FormB)Type FEATURES 1.FormB(Normally-closed)type Hasbeenrealizedthankstothebuilt-inMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. 2.Controlslow-levelanalogsignals PhotoMOSrel

NAISNais(Matsushita Electric Works)

松下電器松下電器機(jī)電(中國(guó))有限公司

AQV454A

HE(High-functionEconomy)Type1-Channel(FormB)Type

HE(High-functionEconomy)Type1-Channel(FormB)Type FEATURES 1.FormB(Normally-closed)type Hasbeenrealizedthankstothebuilt-inMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. 2.Controlslow-levelanalogsignals PhotoMOSrel

NAISNais(Matsushita Electric Works)

松下電器松下電器機(jī)電(中國(guó))有限公司

AQV454AX

HE(High-functionEconomy)Type1-Channel(FormB)Type

HE(High-functionEconomy)Type1-Channel(FormB)Type FEATURES 1.FormB(Normally-closed)type Hasbeenrealizedthankstothebuilt-inMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. 2.Controlslow-levelanalogsignals PhotoMOSrel

NAISNais(Matsushita Electric Works)

松下電器松下電器機(jī)電(中國(guó))有限公司

AQV454AZ

HE(High-functionEconomy)Type1-Channel(FormB)Type

HE(High-functionEconomy)Type1-Channel(FormB)Type FEATURES 1.FormB(Normally-closed)type Hasbeenrealizedthankstothebuilt-inMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. 2.Controlslow-levelanalogsignals PhotoMOSrel

NAISNais(Matsushita Electric Works)

松下電器松下電器機(jī)電(中國(guó))有限公司

AQV454H

HE(High-functionEconomy)Type1-Channel(FormB)Type

HE(High-functionEconomy)Type1-Channel(FormB)Type FEATURES 1.FormB(Normally-closed)type Hasbeenrealizedthankstothebuilt-inMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. 2.Controlslow-levelanalogsignals PhotoMOSrel

NAISNais(Matsushita Electric Works)

松下電器松下電器機(jī)電(中國(guó))有限公司

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    TRF454

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

  • 封裝形式：

  • 極限工作電壓：

    18V

  • 最大電流允許值：

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

  • 可代換的型號(hào)：

    3DK108A,

  • 最大耗散功率：

    80W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    NO

  • vtest：

    18

  • htest：

    999900

  • atest：

    0

  • wtest：

    80

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多TRF454供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-25 15:00:00

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