TRS10E65H中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
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廠商型號(hào) |
TRS10E65H |
功能描述 | SiC Schottky Barrier Diode |
絲印標(biāo)識(shí) | |
封裝外殼 | TO-220-2L |
文件大小 |
432.62 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
7 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Toshiba Semiconductor |
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
TOSHIBA【東芝】 |
中文名稱(chēng) | 株式會(huì)社東芝官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-2-20 22:59:00 |
TRS10E65H規(guī)格書(shū)詳情
Applications
? Power Factor Correction
? Solar Inverters
? Uninterruptible Power Supplies
? DC-DC Converters
Features
(1) Chip design of 3rd generation
(2) Low forward voltage : VF = 1.2 V (typ.)
(3) Low total capacitive charge: Qc = 27 nC (typ.)
(4) Low reverse current: IR = 2.0 μA (typ.)
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
KEMET(基美) |
23+ |
7350 |
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!! |
詢(xún)價(jià) | |||
KEMET(基美) |
23+ |
6000 |
誠(chéng)信服務(wù),絕對(duì)原裝原盤(pán) |
詢(xún)價(jià) | |||
Toshiba |
23+ |
TO-247 |
3268 |
東芝全系列原廠正品現(xiàn)貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
FERRAZ/羅蘭熔斷器 |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
5000 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保 |
詢(xún)價(jià) | ||
24+ |
N/A |
61000 |
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢(xún)價(jià) |