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TRS10E65H中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

TRS10E65H
廠商型號(hào)

TRS10E65H

功能描述

SiC Schottky Barrier Diode

絲印標(biāo)識(shí)

S10E65H

封裝外殼

TO-220-2L

文件大小

432.62 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

TOSHIBA東芝

中文名稱(chēng)

株式會(huì)社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-2-20 22:59:00

TRS10E65H規(guī)格書(shū)詳情

Applications

? Power Factor Correction

? Solar Inverters

? Uninterruptible Power Supplies

? DC-DC Converters

Features

(1) Chip design of 3rd generation

(2) Low forward voltage : VF = 1.2 V (typ.)

(3) Low total capacitive charge: Qc = 27 nC (typ.)

(4) Low reverse current: IR = 2.0 μA (typ.)

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
KEMET(基美)
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7350
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!!
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標(biāo)準(zhǔn)封裝
5000
原廠授權(quán)一級(jí)代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保
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N/A
61000
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
詢(xún)價(jià)