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TRS10E65H

Marking：S10E65H；Package：TO-220-2L；SiC Schottky Barrier Diode

Applications ?PowerFactorCorrection ?SolarInverters ?UninterruptiblePowerSupplies ?DC-DCConverters Features (1)Chipdesignof3rdgeneration (2)Lowforwardvoltage:VF=1.2V(typ.) (3)Lowtotalcapacitivecharge:Qc=27nC(typ.) (4)Lowreversecurrent:IR=2.0μA(typ.

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

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更多S10E65H供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-3 13:36:00

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