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TRS4V65H中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

TRS4V65H
廠商型號

TRS4V65H

功能描述

SiC Schottky Barrier Diode

絲印標識

TRS4V65H

封裝外殼

DFN8x8

文件大小

379.75 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-3 17:08:00

TRS4V65H規(guī)格書詳情

Applications

? Power Factor Correction

? Solar Inverters

? Uninterruptible Power Supplies

? DC-DC Converters

Features

Chip design of 3rd generation

Low forward voltage : VF = 1.2 V (typ.)

Low total capacitive charge: Qc = 12nC (typ.)

Low reverse current: IR = 0.6 μA (typ.)

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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