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TRS4V65H

Marking：TRS4V65H；Package：DFN8x8；SiC Schottky Barrier Diode

Applications ?PowerFactorCorrection ?SolarInverters ?UninterruptiblePowerSupplies ?DC-DCConverters Features Chipdesignof3rdgeneration Lowforwardvoltage:VF=1.2V(typ.) Lowtotalcapacitivecharge:Qc=12nC(typ.) Lowreversecurrent:IR=0.6μA(typ.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

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更多TRS4V65H供應(yīng)商 更新時間2025-2-3 13:00:00

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