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TRS8A65C

SiC Schottky Barrier Diode

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

ITK8A65W

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

K8A65D

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

TK8A65D

SwitchingRegulatorApplications

SwitchingRegulatorApplications ?Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=0.7Ω(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=4.5S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=650V) ?Enhancementmode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TK8A65D

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TK8A65D

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.84Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

TK8A65W

MOSFETsSiliconN-ChannelMOS

Applications ?SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.53Ω(typ.) byusingSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=2.5to3.5V(VDS=10V,ID=0.3mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TK8A65W

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

TRS8A65F

SiCSchottkyBarrierDiode

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

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Toshiba Semiconductor and Stor
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TO-220F-2L
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獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費(fèi)試樣正品保證
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更多TRS8A65C供應(yīng)商 更新時間2024-11-18 13:00:00

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