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TSC1203ECMRNG

HighVoltageNPNTransistorHighswitchingspeedBVCBO1050V

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司

TUL1203

HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

TUL1203

HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

TZ1203A

CrystalUnitSMD3.2x2.524.0MHz

Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage DescriptionandApplications: Surfacemount3.2mmx2.5mmcrystalunitforuseinwirelesscommunicationsdevices, especiallyforan

TAI-SAW

TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.

TZ1203B

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TAI-SAW

TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.

VBA1203M

N-Channel200V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

VBA1203M

N-Channel200V(D-S)MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?175°CJunctionTemperature ?PWMOptimized ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?PrimarySideSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

VBE1203M

N-Channel200V(D-S)MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?175°CJunctionTemperature ?PWMOptimized ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?PrimarySideSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

VBE1203M

N-Channel200V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

VBFB1203M

N-Channel200V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    TSC1203ECM RNG

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT High voltage NPN Transistor w/diode

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

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更多TSC1203ECM RNG供應(yīng)商 更新時間2025-3-8 16:00:00

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