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TSFF6410_V02

High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero

DESCRIPTION TSFF6410isaninfrared,870nmemittingdiodeinGaAlAs doublehetero(DH)technologywithhighradiantpowerand highspeed,moldedinaclear,untintedplasticpackage. FEATURES ?Packagetype:leaded ?Packageform:T-1? ?Dimensions(inmm):?5 ?Peakwavelength:λp=8

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

TSHF6410_V02

HighSpeedInfraredEmittingDiode,890nm,GaAlAsDoubleHetero

DESCRIPTION TSHF6410isaninfrared,890nmemittingdiodeinGaAlAs doublehetero(DH)technologywithhighradiantpowerand highspeed,moldedinaclear,untintedplasticpackage. FEATURES ?Packagetype:leaded ?Packageform:T-1? ?Dimensions(inmm):?5 ?Peakwavelength:?p=8

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

TSHG6410_V02

HighSpeedInfraredEmittingDiode,850nm,GaAlAsDoubleHetero

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更多TSFF6410_V02供應(yīng)商 更新時間2025-1-22 15:00:00

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