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TSG25N120

N-Channel IGBT with FRD.

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司

TSG25N120

N-Channel IGBT with FRD

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司

TSG25N120CN

N-Channel IGBT with FRD.

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司

TSG25N120CNC0

N-Channel IGBT with FRD.

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司

25N120

LowVCE(sat)HighspeedIGBT

LowVCE(sat)HighspeedIGBT Features ?InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD ?2ndgenerationHDMOSTMprocess ?LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ?MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ?ACmotorspeedcontrol ?DCservoandrobotdrives ?DC

IXYS

IXYS Corporation

BRG25N120D

Insulated-GateBipolarTransistorinaTO-3PPlasticPackage

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司

DTGN25N120

Extremelyenhancedavalanchecapability

GeneralDescription Din-TekFieldStopTrenchIGBTsofferlowswitchinglosses,high energyefficiencyandshortcircuitruggedness. Itisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpower supplies(UPS),generalinverters. FEATURES ·Highspeedswitching ·Highruggedness,

DINTEK

DinTek Semiconductor Co,.Ltd

FGA25N120

1200V,25ANPTTrenchIGBT

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

FGA25N120AN

IGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.5V@IC=25A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·InductionHeating,UPS ·AC&DCmotorcontrolsandgeneralpurposeinverters

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FGA25N120AN

IGBT

GeneralDescription EmployingNPTtechnology,Fairchild’sANseriesofIGBTsprovideslowconductionandswitchinglosses.TheAN seriesoffersansolutionforapplicationsuchasinductionheating(IH),motorcontrol,generalpurposeinvertersanduninterruptiblepowersupplies(UPS).

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    TSG25N120

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 1200V 25A IGBT

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多TSG25N120供應商 更新時間2025-1-21 13:38:00

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