TSG25N120中文資料臺灣半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
產(chǎn)品屬性
- 型號：
TSG25N120
- 功能描述：
IGBT 晶體管 1200V 25A IGBT
- RoHS：
否
- 制造商：
Fairchild Semiconductor
- 配置：
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO：
650 V
- 集電極—射極飽和電壓：
2.3 V
- 柵極/發(fā)射極最大電壓：
20 V 在25
- C的連續(xù)集電極電流：
150 A
- 柵極—射極漏泄電流：
400 nA
- 功率耗散：
187 W
- 封裝/箱體：
TO-247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
21+ |
MODULE |
23480 |
詢價 | |||
TSG |
18+ |
SOP8 |
34078 |
全新原裝現(xiàn)貨,可出樣品,可開增值稅發(fā)票 |
詢價 | ||
A |
24+ |
DIP-8 |
5 |
詢價 | |||
TAIWAN SEMICONDUCTOR |
24+ |
TO-3P |
9800 |
只做原裝正品現(xiàn)貨或訂貨假一賠十! |
詢價 | ||
場效應(yīng) |
22+ |
模塊 |
600 |
原裝現(xiàn)貨庫存.價格優(yōu)勢 |
詢價 | ||
ST |
專業(yè)模塊 |
MODULE |
8513 |
模塊原裝主營-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
場效應(yīng) |
23+ |
模塊 |
3562 |
詢價 | |||
ST/意法 |
18+ |
MODULE |
321 |
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詢價 | ||
ST |
2015 |
模塊 |
300 |
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詢價 | ||
ST |
24+ |
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