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TSHG8200_V02

High Speed Infrared Emitting Diode, 830 nm, GaAlAs Double Hetero

DESCRIPTION TSHG8200isaninfrared,830nmemittingdiodeinGaAlAs doublehetero(DH)technologywithhighradiantpowerand highspeed,moldedinaclear,untintedplasticpackage. FEATURES ?Packagetype:leaded ?Packageform:T-1? ?Dimensions(inmm):??5 ?Peakwavelength:?p=8

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

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更多TSHG8200_V02供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-8 10:00:00

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