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TSM1N60L

N-Channel Power Enhancement Mode MOSFET

GeneralDescription TheTSM1N60Lisusedanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficien

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司

TSM1N60L

600V N-Channel Power MOSFET

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司

TSM1N60LCH

N-Channel Power Enhancement Mode MOSFET

GeneralDescription TheTSM1N60Lisusedanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficien

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司

TSM1N60LCP

N-Channel Power Enhancement Mode MOSFET

GeneralDescription TheTSM1N60Lisusedanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficien

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司

TSM1N60LCPRO

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

TSM1N60L_07

600V N-Channel Power MOSFET

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司

TSM1N60L_10

600V N-Channel Power MOSFET

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司

TSM1N60LCH

600V N-Channel Power MOSFET

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司

TSM1N60LCHC5

600V N-Channel Power MOSFET

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司

TSM1N60LCP

600V N-Channel Power MOSFET

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司

TSM1N60LCPRO

600V N-Channel Power MOSFET

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    TSM1N60L

  • 功能描述:

    MOSFET 600V 1.0A 2.5W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
TSC
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科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十!
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TSC
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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TSC/臺灣半導體
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TSC/臺灣半導體
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更多TSM1N60L供應商 更新時間2024-11-8 16:29:00