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TSM2N60CP	文件：211.16 Kbytes Page：3 Pages	N CHANNEL POWER ENHANCEMENT MODE MOSFET GeneralDescription TheTSM2N60isusedanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdes	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
TSM2N60CP	文件：157.8 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Power Enhancement Mode MOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
TSM2N60CP	文件：459.79 Kbytes Page：8 Pages	600V N-Channel Power MOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
TSM2N60CPRO	文件：1.32278 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
TSM2N60CPRO	文件：348.32 Kbytes Page：8 Pages	600V N-Channel Power MOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
TSM2N60CZ	文件：459.79 Kbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
TSM2N60E	文件：1.00831 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
TSM2N60ECPROG	文件：1.00831 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
TSM2N60S	文件：344.19 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
TSM2N60S	文件：328.03 Kbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelPowerMOSFET GeneralDescription TheTSM2N60Sisusedanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientde	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
TSM2N60SCWRP	文件：328.03 Kbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelPowerMOSFET GeneralDescription TheTSM2N60Sisusedanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientde	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
TSM2N60SCWRPG	文件：344.19 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
WFD2N60	文件：518.6 Kbytes Page：7 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 穩(wěn)先微電子深圳市穩(wěn)先微電子有限公司	Winsemi
WFD2N60	文件：715.59 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET 600VN-ChannelMOSFET Features □LowIntrinsicCapacitances □ExcellentSwitchingCharacteristics □ExtendedSafeOperatingArea □UnrivalledGateCharge:8.5nC(Typ.) □BVDSS=600V,ID=2A □LowerRDS(on):5?(Max)@VG=10V □100AvalancheTested	WISDOM Wisdom technologies Int`l	WISDOM
WFD2N60	文件：1.08793 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
WFD2N60B	文件：1.13502 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
WFD2N60B	文件：297.58 Kbytes Page：8 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 穩(wěn)先微電子深圳市穩(wěn)先微電子有限公司	Winsemi
WFD2N60B	文件：557.05 Kbytes Page：7 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 穩(wěn)先微電子深圳市穩(wěn)先微電子有限公司	Winsemi
WFF2N60	文件：396.2 Kbytes Page：7 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET GeneralDescription ThisPowerMOSFETisproducedusingWinsemi’sadvancedplanarstripe,VDMOStechnology.Thislatesttechnologyhasbeenespeciallydesignedtominimizeon-stateresistance,haveahighruggedavalanchecharacteristics.Thisdevicesisspeciallywellsuitedforhighefficien	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 穩(wěn)先微電子深圳市穩(wěn)先微電子有限公司	Winsemi
WFF2N60	文件：714.75 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET Features □LowIntrinsicCapacitances □ExcellentSwitchingCharacteristics □ExtendedSafeOperatingArea □UnrivalledGateCharge:Qg=8.5nC(Typ.) □BVDSS=600V,ID=2A □RDS(on):5?(Max)@VG=10V □100AvalancheTested	WISDOM Wisdom technologies Int`l	WISDOM

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詳細參數(shù)

型號：
TSM2N60CP
功能描述：
MOSFET 600V 2Amp N channel MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	TSM2N60CP	TS	2018+	TO252	6528	只做原裝正品假一賠十!只要網(wǎng)上有上百分百有庫存放心	詢價
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更多TSM2N60CP供應(yīng)商更新時間2025-1-10 15:54:00

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