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TSM7N65CZCO	文件：1.23517 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS ?Serverandtelecompowersupplies ?Switchmodepowersupplies(SMPS) ?Powerfactorcorrecti	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
UTG7N65-S	文件：203.62 Kbytes Page：4 Pages	650VTRENCHGATEFIELD-STOPIGBT ?DESCRIPTION TheUTCUTG7N65-SisanTrenchField-StopInsulatedGate BipolarTransistor.itusesUTC’sadvancedtechnologytoprovide customerswithhighswitchingspeed,lowsaturationvoltageand lowswitchingloss,etc. TheUTCUTG7N65-Sissuitablefortheresonantorsoft switchingap	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
WFD7N65S	文件：276.92 Kbytes Page：6 Pages	650VSuper-JunctionPowerMOSFET	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 穩(wěn)先微電子深圳市穩(wěn)先微電子有限公司	Winsemi
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YJ7N65CH	文件：954.13 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMosfet	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 揚(yáng)州揚(yáng)杰電子揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司	YANGJIE
YJ7N65CI	文件：954.13 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMosfet	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 揚(yáng)州揚(yáng)杰電子揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司	YANGJIE
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