TTC015B分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
TTC015B |
| 參數屬性 | TTC015B 封裝/外殼為TO-225AA，TO-126-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產品描述：PB-F POWER TRANSISTOR TO-126N PC |
| 功能描述 | Bipolar Transistors Silicon NPN Epitaxial Type |
| 絲印標識 | |
| 封裝外殼 | TO-126N / TO-225AA，TO-126-3 |
| 文件大小 |
218.85 Kbytes |
| 頁面數量 |
7 頁 |
| 生產廠商 | Toshiba Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
TOSHIBA【東芝】 |
| 中文名稱 | 株式會社東芝官網 |
| 原廠標識 |  |
| 數據手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-23 15:10:00 |
TTC015B規(guī)格書詳情
Applications
? Power Amplifiers
? Power Switching
Features
(1) High DC current gain : hFE = 100 to 200 (IC = 0.5 A)
(2) Low collector emitter saturation voltage : VCE(sat) = 0.5 V (max) (IC = 1A)
(3) High-speed switching : tstg = 400 ns (typ.) (IC = 1A)
(4) Complementary to TTA008B
產品屬性
- 產品編號：
TTC015B,Q
- 制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
500mV @ 100mA，1A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 500mA，2V
- 頻率 - 躍遷：
150MHz
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-225AA，TO-126-3
- 供應商器件封裝：
TO-126N
- 描述：
PB-F POWER TRANSISTOR TO-126N PC
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TAMURA |
22+ |
SMD |
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