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TTC015B

Marking:C015B;Package:TO-126N;Bipolar Transistors Silicon NPN Epitaxial Type

Applications ?PowerAmplifiers ?PowerSwitching Features (1)HighDCcurrentgain:hFE=100to200(IC=0.5A) (2)Lowcollectoremittersaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(max)(IC=1A) (3)High-speedswitching:tstg=400ns(typ.)(IC=1A) (4)ComplementarytoTTA008B

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

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更多C015B供應(yīng)商 更新時間2025-4-27 9:55:00