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TTD1509B中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

TTD1509B
廠商型號

TTD1509B

參數(shù)屬性

TTD1509B 包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個;產(chǎn)品描述:TRANSISTOR NPN TO126N

功能描述

Bipolar Transistors Silicon NPN Epitaxial Type (Darlington Transistor)

文件大小

269.63 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-11-16 18:30:00

TTD1509B規(guī)格書詳情

Applications

? Micromotor Drivers

? Hammer Drivers

? Switching

? Power Amplifiers

Features

(1) High DC current gain : hFE = 2000 (min) (VCE = 2 V, IC = 1 A)

(2) Low collector-emitter saturation voltage : VCE(sat) = 1.5 V (max) (IC = 1 A, IB = 1 mA)

(3) Complementary to TTB1067B

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    TTD1509B,Q(S

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 描述:

    TRANSISTOR NPN TO126N

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