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TTD1509B

Marking:D1509B;Package:TO-126N;Bipolar Transistors Silicon NPN Epitaxial Type (Darlington Transistor)

Applications ?MicromotorDrivers ?HammerDrivers ?Switching ?PowerAmplifiers Features (1)HighDCcurrentgain:hFE=2000(min)(VCE=2V,IC=1A) (2)Lowcollector-emittersaturationvoltage:VCE(sat)=1.5V(max)(IC=1A,IB=1mA) (3)ComplementarytoTTB1067B

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

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更多D1509B供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-3 15:03:00