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TW060N120C

MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS

Features (1)Chipdesignof3rdgeneration(Built-inSiCschottkybarrierdiode) (2)Lowdiodeforwardvoltage:VDSF=-1.35V(typ.) (3)Highvoltage:VDSS=1200V (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=60m ?(typ.) (5)Lesssusceptibletomalfunctionduetohighthresholdvoltage:

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TW060N120CS1F

MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS

Features (1)Chipdesignof3rdgeneration(Built-inSiCschottkybarrierdiode) (2)Lowdiodeforwardvoltage:VDSF=-1.35V(typ.) (3)Highvoltage:VDSS=1200V (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=60m ?(typ.) (5)Lesssusceptibletomalfunctionduetohighthresholdvoltage:

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
Toshiba
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TST全系列在售,支持實(shí)單
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更多TW060N120C供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-23 15:18:00

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