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STB80N4F6AG

Highavalancheruggedness

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STD80N4F6

N-channel40V,5.5mtyp.,80ASTripFETVIDeepGATEPowerMOSFETinDPAK

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STD80N4F6

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導體有限公司

STU80N4F6

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6.3mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

STU80N4F6

N-channel40V,5.5mtyp.,80ASTripFETVIDeepGATEPowerMOSFETinDPAK

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

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更多U80N4F6供應商 更新時間2025-2-23 16:00:00

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