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UHB50SC12E1BC3N

Marking：UHB50SC12E1BC3N；Package：E1B；1200V-50A SiC Half-Bridge Module

Features *On-resistance:RDS(on)=19mW(typ) *Operatingtemperature:150°C(max) *Excellentreverserecovery:Qrr=495nC *Lowbodydiodevoltage:VFSD=1.2V *Lowgatecharge:QG=85nC *ThresholdvoltageVG(th):5V(typ)allowing0to15Vdrive *ESDprotected:HBMclass2andCDMc

QORVO

Qorvo, Inc

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更多UHB50SC12E1BC3N供應(yīng)商 更新時間2025-2-20 16:57:00

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