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UMZ1NT1G

Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor

Features ?HighVoltageandHighCurrent:VCEO=50V,IC=200mA ?HighhFE:hFE=200400 ?MoistureSensitivityLevel:1 ?ESDRating?HumanBodyModel:3A ?MachineModel:C ?Pb?FreePackageisAvailable

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安森美半導體安森美半導體公司

UMZ1NT1G

Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor

ComplementaryDualGeneralPurposeAmplifierTransistor PNPandNPNSurfaceMount Features ?HighVoltageandHighCurrent:VCEO=50V,IC=200mA ?HighhFE:hFE=200~400 ?MoistureSensitivityLevel:1 ?ESDRating?HumanBodyModel:3A ESDRating?MachineModel:C ?NSVPrefixf

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UMZ1NT1G

Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor

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UMZ1NT1G_16

Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor

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NSVUMZ1NT1G

ComplementaryDualGeneralPurposeAmplifierTransistor

ONSEMION Semiconductor

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UMZ1NT1

ComplementaryDualGeneralPurposeAmplifierTransistor

Features ?HighVoltageandHighCurrent:VCEO=50V,IC=200mA ?HighhFE:hFE=200400 ?MoistureSensitivityLevel:1 ?ESDRating?HumanBodyModel:3A ?MachineModel:C ?Pb?FreePackageisAvailable

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    UMZ1NT1G

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT 200mA 60V Dual Complementary

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
2015+
200
公司現(xiàn)貨庫存
 詢價
2015+
200
公司現(xiàn)貨庫存
 詢價
onsemi(安森美)
23+
SC-88
3022
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務
 詢價
onsemi
24+
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
30000
晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價
ON/安森美
21+
NA
3922
只做原裝,假一罰十
 詢價
ON/安森美
20+
SOT-363
120000
原裝正品 可含稅交易
 詢價
ON(安森美)
23+
SC-88
14452
公司只做原裝正品,假一賠十
 詢價
ON
2024+
N/A
70000
柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)
 詢價
ON
11+
SOT-363
8000
全新原裝,絕對正品現(xiàn)貨供應
 詢價
ONS
24+
3000
詢價
更多UMZ1NT1G供應商 更新時間2025-1-23 16:20:00

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