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UPA2200T1M

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2200T1MisN-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forpowermanagementapplicationsofportableequipments,suchas loadswitch. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=23mΩMAX.(VGS=10V,ID=8A) RDS(on)2=31mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=4A) ?Bui

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPA2200T1M-T1-AT

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2200T1MisN-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forpowermanagementapplicationsofportableequipments,suchas loadswitch. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=23mΩMAX.(VGS=10V,ID=8A) RDS(on)2=31mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=4A) ?Bui

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瑞薩瑞薩科技有限公司

UPA2200T1M-T2-AT

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2200T1MisN-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forpowermanagementapplicationsofportableequipments,suchas loadswitch. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=23mΩMAX.(VGS=10V,ID=8A) RDS(on)2=31mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=4A) ?Bui

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    UPA2200T1M

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 30V VSOF-SLIM

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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RENESAS/瑞薩
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SOT1206-8
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RENESAS/瑞薩
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SOT-8
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全新原裝現(xiàn)貨 優(yōu)勢庫存
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更多UPA2200T1M供應(yīng)商 更新時間2025-3-24 8:30:00

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