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UPA2200T1M-T2-AT

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2200T1MisN-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forpowermanagementapplicationsofportableequipments,suchas loadswitch. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=23mΩMAX.(VGS=10V,ID=8A) RDS(on)2=31mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=4A) ?Bui

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多UPA2200T1M-T2-AT供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-25 10:59:00

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