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UPA2201T1M-T2-AT

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2201T1MisN-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forpowermanagementapplicationsofportableequipments,suchas loadswitch. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=18.5mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=9A) RDS(on)2=27mΩMAX.(VGS=2.5V,ID=4.5A) ?

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多UPA2201T1M-T2-AT供應(yīng)商 更新時間2025-3-25 10:18:00

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