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UPA2210T1M-T2-AT

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2210T1MisP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forpowermanagementapplicationsofportableequipments,suchas loadswitch. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=29mΩMAX.(VGS=?4.5V,ID=?7.2A) RDS(on)2=41mΩMAX.(VGS=?2.5V,ID=?3.6A)

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多UPA2210T1M-T2-AT供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-21 8:30:00