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UPA2709GR-E1-A

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2709GRisN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforDC/DCconverterandpowermanagement applicationsofnotebookcomputer. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=10.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=7.0A) RDS(on)2=15mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=7.0A) ?Low

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瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多UPA2709GR-E1-A供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-15 15:48:00

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