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UPA2727UT1A-E1-AZ

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2727UT1AisN-channelMOSFETdesignedforDC/DCconverterapplications. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=9.6mΩMAX.(VGS=10V,ID=8A) RDS(on)2=15mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=8A) ?LowQGD QGD=3.5nCTYP.(VDD=15V,ID=16A) ?Thintyp

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

UPA2727UT1A-E1-AZ

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPA2727UT1A-E1-AY

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    UPA2727UT1A-E1-AZ

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全稱:

    NEC

  • 功能描述:

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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更多UPA2727UT1A-E1-AZ供應(yīng)商 更新時間2025-3-29 16:36:00